Filter
Top Products
2000 Oct 16 7
Philips Semiconductors Product specification
GSM/DCS/PCS power amplifier CGY2014TT
Performance characteristics in GSM band
handbook, halfpage
800 850
P
o
(dBm)
900 1000
37
33
31
35
η
(%)
60
40
20
0
950
f
RF
(MHz)
FCA171
(3)
(2)
(1)
(3)
(2)
(1)
output power
efficiency
Fig.3 Output power and efficiency as a function of
the frequency.
(1) T
amb
=85°C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −20 °C.
V
DD1(LB)
=3V.
V
DD2(LB)
=V
DD3(LB)
= 3.5 V.
P
i(LB)
= 0 dBm.
handbook, halfpage
01
P
o
(dBm)
24
40
30
10
0
20
3
V
DD
(V)
FCA176
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Output power as a function of the supply
voltage.
(1) T
amb
=85°C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −20 °C.
f
RF(LB)
= 900 MHz.
P
i(LB)
= 0 dBm.
V
DD1(LB)
=3V.
V
DD
=V
DD2(LB)
=V
DD3(LB)
.
Performance characteristics in DCS band
handbook, halfpage
1650 1700
P
o
(dBm)
1750 1850
35.5
34.5
32.5
31.5
33.5
η
(%)
55
45
25
15
35
1800
f
RF
(MHz)
FCA172
(3)
(2)
(1)
(3)
(2)
(1)
output power
efficiency
Fig.5 Output power and efficiency as a function of
the frequency.
(1) T
amb
=85°C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −20 °C.
V
DD1(HB)
=3V.
V
DD2(HB)
=V
DD3(HB)
= 3.5 V.
P
i(HB)
= 3 dBm.
handbook, halfpage
01
P
o
(dBm)
24
40
30
10
0
20
3
V
DD
(V)
FCA173
(1)
(2)
(3)
Fig.6 Output power as a function of the supply
voltage.
(1) T
amb
=85°C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −20 °C.
f
RF(HB)
= 1750 MHz.
P
i(HB)
= 3 dBm.
V
DD1(HB)
=3V.
V
DD
=V
DD2(HB)
=V
DD3(HB)
.